產品特色
本文檔基於8個512M x 8位FBGA組件,介紹了ValueRAM的512M x 64位(4GB)DDR3-1600 CL11 SDRAM(同步DRAM)1Rx8存儲模塊。 將SPD編程為1.5V時的JEDEC標準延遲DDR3-1600時序11-11-11。 此240針DIMM使用金觸點。
- JEDEC標準1.5V(1.425V〜1.575V)電源
- VDDQ = 1.5V(1.425V〜1.575V)
- 800MHz fCK for 1600Mb / sec / pin
- 8家獨立內部銀行
- 可編程CAS延遲:11、10、9、8、7、6
- 可編程加法延遲:0,CL-2或CL-1時鐘
- 8位預取
- 突髮長度:8(無限制插入,僅從起始地址“ 000”開始連續插入),tCCD = 4時不允許連續讀取或寫入(使用A12或MRS進行動態讀取)時為4
- 雙向差分數據選通
- 內部(自)校準:通過ZQ引腳進行內部自校準(RZQ:240歐姆±1%)
- 使用ODT引腳進行管芯端接
- 低於TCASE 85°C時的平均刷新周期為7.8us,在85°C <TCASE <95°C時為3.9us
- 異步復位
- PCB:高度0.740英寸(18.75毫米)或1.180英寸(30.00毫米)
產品規格
- CL(IDD):11個週期
- 行循環時間(tRCmin):48.125ns(最小)
- 刷新為活動/刷新,命令時間(tRFCmin):260ns(分鐘)
- 行激活時間(tRASmin):35ns(分鐘)
- 最大工作功率:待定W *
- UL等級:94 V-0
- 產品型號: KVR16N11S8/4
- 規格: DDR3, 1600MHz, Non-ECC, CL11, 1.5V, Unbuffered, DIMM, 1R, 4Gbit